原子层沉淀技术（ALD）是目前半导体器件制造的必须技术，相比于传统的MOCVD和PVD等淀积工艺，能够充分利用表面饱和反应（Surfaces Aturation Reactions），具备厚度控制和高度的稳定性能，使得到的薄膜兼具高纯度与高密度。韩国CN1（株）公司在此基础上开发的ALD设备和封装设备改善了现有ALD技术缺点，可运用ALD技术调节薄膜厚度，进一步提高生产收益，加快处理速度，减少费用，确保价格竞争力。
该技术已申请专利，外方希望寻找伙伴技术转让、技术入股或者合作生产。
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