1．企业介绍
我们是专门的半导体设备公司，创建于1999年3月。我们致力于成为未来半导体设备的领军公司。同样，针对很多国际级竞争企业，为了不落在他们的后面，我们将尽最大努力开拓海外市场。
2．项目介绍
(1)PE-CVD系统
- 针对IMD和Pass’nProcess的等离了- CVD：P-SiO＆P-SiN
- 针对IMD Process：P-TEOS的等离了- CVD
- 针对围墙金属过程(Barrier Metal Process)的WN- LPCVD
- Cu MOCVD for ASIC，MPU Interconnects
(2)干法蚀刻产品(Dry Etcher Products)详细说明I
1)特点-Hel icon Type High
稠密等离子一特殊设计
泵堆一获得专利的多Helicon Source-
2)应用
-Cr(光学设备)-
-1氧化物-
- Ni(半导体)-
3)销售
-ETRI
-PPI
新材料应用的金属干法蚀刻(Metal Dry Etcher for new material appl ication)
(6，8，12英寸)
-针对FeRAM应用的Pt／Ir，Ir02／PZT／Yl
-针对DRAM应用的Ru／Ru02，BST
-针对MRAM应用的TMR Film
(3)干法蚀刻产品详细说明(Dry Etcher Products Detai ls)II
1)特点
-ICP型高密度等离子
-特殊设计泵堆
-获得专利的内部和外部RF卷
2)应刚
-硅深沟蚀刻(Silicon Deep Trench etch)
-III-V混合物蚀刻
-w蚀刻背面(Etch Back)
3)销售
-Epivalley
-N1NEX